Отже, неактивовані монокристали оксиду ґалію, вирощені в умовах з дефіцитом кисню, є зміша¬ними електронно йонними провідниками. Концен¬трація електронів досягає 1018 см_3, рухливість ста¬новить 140 см2/Вс при 300 К. На поверхні низько-
омних кристалів унаслідок адсорбції кисню з навко¬лишньої атмосфери утворюється тонкий шар високо- омного оксиду ґалію. Як наслідок на кристалах ок¬сиду ґалію простежуються нелінійні ВАХ , аномально великі значення низькочастотної діелектричної про¬никності та релаксаційний характер встановлення рівноважного значення струму.